![]()
این گزارش به بررسی مقاله ای با عنوان “نانوتوپوگرافی های مهندسی شده، باز شدن گذرا در غشای هسته را القا می کنند” می پردازد. این مقاله به بررسی پتانسیل مواد نانو توپوگرافی در ایجاد اختلالات موقت در غشای هسته سلول می پردازد.
چکیده
مقاله حاضر به بررسی مواد نانو توپوگرافی با ساختارهای مهندسی شده در سطح نانو می پردازد. این ساختارها شامل نانوستون ها، نانوسوزن ها و نانوسیم ها هستند. این مواد به تقلید از ساختارهای طبیعی مانند پروتئین های سنبله ویروسی می پردازند. این ویژگی به آنها اجازه می دهد تا از موانع بیولوژیکی مانند غشای پلاسمایی عبور کنند. این خصوصیات منجر به کاربردهای متنوعی در حوزه نانوالکترونیک شده است. از جمله این کاربردها می توان به حسگرهای داخل سلولی و سیستم های دارورسانی اشاره کرد. برخی از این کاربردها در حال حاضر در مراحل آزمایشات بالینی قرار دارند.
در این مطالعه، شواهدی ارائه شده است که نشان می دهد مواد نانو توپوگرافی قادر به ایجاد بازشدگی های موقت در غشاهای هسته سلول های مختلف هستند. این فرآیند بدون نفوذ مواد به داخل سلول رخ می دهد. این بازشدگی ها منجر به اختلال در سد هسته-سیتوپلاسمی می شوند. در نتیجه، تبادل مولکولی کنترل نشده ای در غشای هسته ایجاد می شود. این بازشدگی ها به دلیل انحنای نانومقیاس ایجاد می شوند. این پدیده موقتی بوده و توسط مکانیسم های ESCRT ترمیم می شود.
یافته های این تحقیق نشان می دهد که مواد نانو توپوگرافی می توانند به طور موقت غشای هسته را تحت تاثیر قرار دهند. این ویژگی می تواند کاربردهای بالقوه ای در حسگری هسته ای مستقیم و دارورسانی هدفمند داشته باشد.
مقدمه
مواد با توپوگرافی سطح در مقیاس نانو، به دلیل توانایی در تعدیل تعاملات سلول-ماده، بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. این مواد با ارائه نشانه های فیزیکی خاص، نحوه تعامل مواد با سیستم های بیولوژیکی را تغییر می دهند.
ساختارهای نانو توپوگرافی مانند نانوستون ها و نانوسوزن ها، از ساختارهای طبیعی مانند پروتئین های ویروسی الگوبرداری شده اند. این ویژگی به آنها امکان عبور از موانع سلولی مانند غشای پلاسمایی را می دهد.
مواد نانو توپوگرافی کاربردهای گسترده ای در حوزه های مختلف پیدا کرده اند. این کاربردها شامل نانوالکترونیک برای حسگرهای داخل سلولی و بسترهای دارورسانی در شرایط آزمایشگاهی و بدن موجود زنده می شود. برخی از این کاربردها به مرحله آزمایشات بالینی رسیده یا به صورت تجاری در دسترس هستند.
پچ های مسطح با نانوساختارهای سه بعدی، الکترودهای نانولوله ای و نانوذرات سنبله دار، نمونه هایی از کاربردهای این مواد هستند. این ساختارها در دارورسانی، الکتروفیزیولوژی و افزایش جذب سلولی مورد استفاده قرار می گیرند.
مطالعات متعددی به بررسی تعامل مواد نانو توپوگرافی با غشای پلاسمایی پرداخته اند. این مطالعات نشان داده اند که هندسه این ساختارها می تواند باعث تغییر شکل غشا، نفوذ و افزایش اندوسیتوز شود. با این حال، تعامل این مواد با سایر اندامک های سلولی هنوز به طور کامل شناخته نشده است.
تحقیقات اخیر نشان داده است که نانو توپوگرافی می تواند اندامک های سلولی مانند هسته را تغییر شکل دهد. این تغییر شکل می تواند منجر به بازسازی غشای هسته شود. مطالعات نشان داده اند که نانوستون های شیشه ای می توانند فرورفتگی های نانومقیاس در هسته سلول های زنده ایجاد کنند. عمق این فرورفتگی ها به ابعاد نانوستون ها و سفتی هسته بستگی دارد.
همچنین، نانوسوزن های سیلیکونی مزوپور می توانند عناصر هسته ای را تغییر دهند. این تغییر می تواند منجر به تجمع پروتئین لامین A/C در نوک نانوستون ها شود. شکل غیرعادی هسته در حضور نانوستون ها می تواند نشانگر بیماری هایی مانند سرطان باشد.
این مطالعات نشان می دهند که نانو توپوگرافی به طور مستقیم بر ساختار و عملکرد بخش های مختلف سلول، از جمله هسته، تاثیر می گذارد.
در این مقاله، محققان به ارائه اولین شواهد مبنی بر توانایی مواد نانو توپوگرافی در ایجاد اختلال در سد هسته-سیتوپلاسمی می پردازند. این اختلال از طریق ایجاد بازشدگی های موقت در غشای هسته و بدون نفوذ به سلول رخ می دهد. این فرآیند منجر به تبادل موقت و کنترل نشده مولکول ها بین هسته و سیتوپلاسم می شود.
محققان نشان داده اند که بازشدگی ها ناشی از انحنای نانومقیاس در غشای هسته است. این انحنا را می توان با تغییر ابعاد نانوستون ها و زمان تعامل آنها با سلول کنترل کرد. همچنین، نشان داده شده است که این مواد می توانند غشای هسته انواع مختلف سلول را تحت تاثیر قرار دهند. این اختلالات موقتی بوده و توسط مکانیسم های ESCRT ترمیم می شوند.
این یافته ها می تواند راه را برای روش های جدید در حسگری هسته ای و دارورسانی هدفمند با استفاده از مواد نانو توپوگرافی باز کند. محققان پیشنهاد می دهند که با کنترل دقیق زمان و مدت بازشدگی و ترمیم غشای هسته، می توان مولکول ها را به طور مستقیم به هسته سلول ها منتقل کرد. این امر می تواند تحولی در درمان های هدفمند ایجاد کند.
نتایج و بحث
انحنای ناشی از نانو توپوگرافی، عامل اصلی نقض غشای هسته
در این تحقیق، نانوستون ها با استفاده از روش لیتوگرافی و اچینگ خشک و مرطوب ساخته شدند. جزئیات ساخت این نانوستون ها در مقالات قبلی و بخش مواد و روش ها ارائه شده است. تصاویر میکروسکوپ نوری و الکترونی روبشی (SEM) از نانوستون ها، مناطق نانوستون و مناطق صاف را نشان می دهند. مناطق صاف به عنوان گروه کنترل در این مطالعه استفاده شدند. این امر امکان مقایسه مستقیم بین مناطق دارای نانو توپوگرافی و مناطق بدون آن را فراهم می کند.
مطالعات پیشین نشان داده اند که نانوساختارها می توانند انحنای نانومقیاس در غشاهای سلولی و هسته ای ایجاد کنند. نتایج میکروسکوپ الکترونی روبشی با پرتو یونی متمرکز (FIB-SEM) و میکروسکوپ کانفوکال فلورسنت، این یافته ها را تایید می کنند. سلول های رشد یافته بر روی نانوستون ها، انحنای مثبت و منفی را در غشاهای هسته خود نشان می دهند. همچنین، مطالعات نشان داده اند که اعمال نیروی نانومقیاس به غشای هسته با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) می تواند منجر به پارگی هسته شود.
بر اساس این مشاهدات، محققان فرضیه ای را مطرح کردند. آنها معتقد بودند که انحنای ایجاد شده توسط نانو توپوگرافی در زمان چسبندگی و گسترش سلول، می تواند باعث نقض غشای هسته شود. این نقض غشا می تواند منجر به تبادل غیرقابل کنترل مواد بین هسته و سیتوپلاسم گردد.
برای بررسی این فرضیه، از گزارشگر پارگی هسته ای Ku-80 استفاده شد. پروتئین Ku-80 به طور معمول در هسته سلول قرار دارد. در صورت پارگی غشای هسته، این پروتئین به سیتوپلاسم نشت می کند.
نتایج نشان داد که سلول های مختلف (U2OS, HeLa, HEK-293, siLMNA iPSC-CM) که بر روی نانوستون ها کشت شده بودند، نشت پروتئین Ku-80 به سیتوپلاسم را نشان دادند. این امر نشان دهنده ایجاد بازشدگی در غشای هسته بود. در مقابل، غشای پلاسمایی این سلول ها سالم باقی ماند. عدم نشت Ku-80 به خارج از سیتوپلاسم، این موضوع را تایید می کند. مناطق صاف پلتفرم کشت سلول که فاقد نانوستون بودند، هیچ نشتی از Ku-80 را نشان ندادند.
برای کمی سازی میزان بازشدگی هسته، از روش ایمونواستینینگ استفاده شد. مرزهای هسته و سیتوپلاسم با استفاده از رنگ های DAPI و اکتین مشخص شدند. سپس، نسبت میزان Ku-80 در سیتوپلاسم به هسته محاسبه گردید. افزایش قابل توجه در این نسبت، به عنوان شاخصی از بازشدگی هسته در نظر گرفته شد.
تجزیه و تحلیل داده ها نشان داد که سلول های U2OS کشت شده بر روی نانوستون ها، نسبت سیتوپلاسمی به هسته ای Ku-80 به طور قابل توجهی بالاتری (0.169 ± 0.005) نسبت به سلول های کشت شده بر روی سطوح صاف (0.093 ± 0.002) داشتند. این یافته نشان دهنده وقوع بالای نقض غشای هسته در حضور نانوستون ها است. سلول های HeLa نیز روند مشابهی را نشان دادند. نسبت Ku-80 در سیتوپلاسم به هسته در سلول های HeLa کشت شده بر روی نانوستون ها (0.129 ± 0.018) به طور معنی داری بیشتر از سلول های کشت شده بر روی سطوح صاف (0.023 ± 0.002) بود. این نتایج نشان می دهد که پدیده نقض غشای هسته محدود به سلول های U2OS نیست.
این یافته ها نشان می دهد که تعامل سلول با نانو توپوگرافی می تواند منجر به بازشدگی غشای هسته شود. این پدیده بدون نیاز به محرک خارجی رخ می دهد. به احتمال زیاد، این بازشدگی ها به دلیل انحنای نانومقیاس ایجاد شده توسط نانو توپوگرافی ها ایجاد می شوند. در ادامه، محققان به بررسی این موضوع پرداختند که آیا انواع مختلف سلول با ویژگی های ساختاری متفاوت نیز این نوع نقض غشای هسته را در حضور نانوستون ها تجربه می کنند یا خیر.
انواع مختلف سلول، بازشدگی غشای هسته ناشی از انحنا را نشان می دهند